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【IGBT研发工程师】

职位描述：

1.进行MOSFET, IGBT, FRD等功率半导体的器件及工艺仿真,国界设计和工艺流程制定；

2.器件封装，测试，特性及失效剖析；

3.工艺和设计计划优化，提高产品性能及良率；

4.从产品界说到开发计划的制定与实施以至定型量产的项目治理；

岗位要求：

1.功率半导体相关事情经验2年（含）以上，熟悉MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体的产品开发流程；

2.具有Wafer Fab实际经验和MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体产品的实际开发/生产经验；

3.熟悉国界设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)

4.具有项目治理能力，主动相同能力及团队协作能力；

相关待遇：

1) 公司提供系统的岗前培训（包括行业、产品知识，技术技术等）；

2) 交五险一金（养老、医疗、失业、生育、工伤和住房公积金）；

3) 提供法定节假日、年假、婚假、生育假、有薪病假等；

4) 公司有完善的考核体系和晋升机制；

5) 其他的福利制度，如生日券，节日福利，员工慰问金，员工年度体检，一年一次旅游。

6）成为焦点员工，获得公司股权激励。

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