产品概述
上海广发体育MOS产品接纳先进的屏蔽栅沟槽（Shield Gate Trench）MOSFET技术，同时降低了器件比导通电阻Ronsp和栅极电荷Qg，获得更小的品质因数FOM（Rdson*Qg）。接纳这一先进技术有效提高了器件的开关速度，降低了开关损耗，配合以先进的终端设计和封装技术，使器件具有更优异的性能和更强的可靠性。
特点和优势：
1. 极低的Rdson
2. 极低的Qg和Qgd
3. 更快的开关速度
4. 更低的开关损耗
5. UIS耐量100%出厂测试
产品型号
Part Number
VDS (V)
ID(A) @25℃
Rdson (typ) (mΩ) @10V
Rdson (max) (mΩ) @10V
VGS(th) (V)
Package
附件
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